Analytical modeling of the substrate effect on accumulation - mode soipmosfet's at room temperature and at 77k.

• Processo: 97/01601-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 11 de junho de 1997
• Data de Término da vigência: 14 de junho de 1997
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Accumulation-Mode | Low Temperature | Modeling | Mosfet | Soi | Substrate Effect