N-type doping in pecvd a si1xcx:h obtained under starving plasma condition.

• Processo: 97/05323-8
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 25 de agosto de 1997
• Data de Término da vigência: 29 de agosto de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marcelo Nelson Páez Carreño
• Beneficiário: Marcelo Nelson Páez Carreño
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Carbeto de silício Semicondutores amorfos Desenvolvimento de novos materiais Filmes finos Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Dopagem eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Carbeto De Silicio | Dopagem | Filmes Finos | Novos Materiais | Pecvd | Semicondutores Amorfos