Electron mobility in si s-doped gaas.

• Processo: 94/02122-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Reunião - Exterior
• Data de Início da vigência: 15 de agosto de 1994
• Data de Término da vigência: 19 de agosto de 1994
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Nelson Studart Filho
• Beneficiário: Nelson Studart Filho
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Dopagem planar Mobilidade
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dopagem Delta | Heteroestrutura-Semicondutoras | Mobilidade | Modos Coletivos