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Desenvolvimento de transistores de filmes finos para uso em circuitos inversores impressos em substratos flexíveis

Processo: 14/13015-9
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de setembro de 2014 - 31 de agosto de 2016
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Neri Alves
Beneficiário:Neri Alves
Instituição-sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
Assunto(s):Transistores  Filmes finos  Conversores elétricos  Substratos 

Resumo

O desenvolvimento de circuitos inversores é um importante tópico de pesquisa em eletrônica orgânica por se tratarem da unidade básica da eletrônica digital. A produção de circuitos flexíveis e impressos tem despertado interesse devido a seu potencial tecnológico em várias aplicações, como por exemplo, em displays. Os circuitos inversores que apresentam melhor desempenho e estabilidade são os inversores complementares híbridos (CIC-Hi), cuja estrutura é composta pela associação de dois transistores de filmes finos (TFTs), um orgânico do tipo p e outro inorgânico do tipo n. A operação apropriada dos CIC-Hi, entretanto, é dependente das características individuais de cada TFT como a mobilidade µ, a voltagem limiar de chaveamento (threshold voltage, VT) e a estabilidade de operação. Logo, esses parâmetros devem ser cuidadosamente ajustados para a produção de circuitos inversores eficazes. Esse projeto tem como principal motivação a fabricação e estudo de TFTs para a produção de CIC-Hi flexíveis por técnicas de impressão. Visa-se fabricar TFTs orgânicos à base de TIPs-pentaceno e P3HT, além de TFTs inorgânicos de óxido de zinco. Serão utilizados os dielétricos Al2O3 e PSQ associados a diversos tratamentos de superfície como a sua modificação por monocamadas automontadas, tratamento por descarga corona e plasma de O2 nas características de operação destes TFTs. Uma vez que essas características de operação são dependentes dos materiais, tratamento e técnicas de fabricação empregadas, o desenvolvimento de CIC-Hi por técnicas de impressão se torna um importante desafio tecnológico. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
NOGUEIRA, GABRIEL LEONARDO; OZORIO, MAIZA DA SILVA; DA SILVA, MARCELO MARQUES; MORAIS, ROGERIO MIRANDA; ALVES, NERI. Middle Electrode in a Vertical Transistor Structure Using an Sn Layer by Thermal Evaporation. ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, v. 14, n. 3, p. 319-327, MAY 2018. Citações Web of Science: 0.
OZORIO, MAIZA DA SILVA; NOGUEIRA, GABRIEL LEONARDO; MORAIS, ROGERIO MIRANDA; MARTIN, CIBELY DA SILVA; LEOPOLDO CONSTANTINO, CARLOS JOSE; ALVES, NERI. Poly(3-hexylthiophene): TIPS-pentacene blends aiming transistor applications. Thin Solid Films, v. 608, p. 97-101, JUN 1 2016. Citações Web of Science: 2.

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