Desenvolvimento de transistores de filmes finos para uso em circuitos inversores impressos em substratos flexíveis

• Processo: 14/13015-9
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2014
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2016
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: Neri Alves
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores Filmes finos Conversores elétricos Substratos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Circuito Inversores Complementares híbridos | Eletrônica impressa | Eletrônica Orgânica | OFETs | TIPs pentaceno | ZnO | Eletrônica orgânica

Resumo

O desenvolvimento de circuitos inversores é um importante tópico de pesquisa em eletrônica orgânica por se tratarem da unidade básica da eletrônica digital. A produção de circuitos flexíveis e impressos tem despertado interesse devido a seu potencial tecnológico em várias aplicações, como por exemplo, em displays. Os circuitos inversores que apresentam melhor desempenho e estabilidade são os inversores complementares híbridos (CIC-Hi), cuja estrutura é composta pela associação de dois transistores de filmes finos (TFTs), um orgânico do tipo p e outro inorgânico do tipo n. A operação apropriada dos CIC-Hi, entretanto, é dependente das características individuais de cada TFT como a mobilidade µ, a voltagem limiar de chaveamento (threshold voltage, VT) e a estabilidade de operação. Logo, esses parâmetros devem ser cuidadosamente ajustados para a produção de circuitos inversores eficazes. Esse projeto tem como principal motivação a fabricação e estudo de TFTs para a produção de CIC-Hi flexíveis por técnicas de impressão. Visa-se fabricar TFTs orgânicos à base de TIPs-pentaceno e P3HT, além de TFTs inorgânicos de óxido de zinco. Serão utilizados os dielétricos Al2O3 e PSQ associados a diversos tratamentos de superfície como a sua modificação por monocamadas automontadas, tratamento por descarga corona e plasma de O2 nas características de operação destes TFTs. Uma vez que essas características de operação são dependentes dos materiais, tratamento e técnicas de fabricação empregadas, o desenvolvimento de CIC-Hi por técnicas de impressão se torna um importante desafio tecnológico. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

OZORIO, MAIZA DA SILVA; NOGUEIRA, GABRIEL LEONARDO; MORAIS, ROGERIO MIRANDA; MARTIN, CIBELY DA SILVA; LEOPOLDO CONSTANTINO, CARLOS JOSE; ALVES, NERI. Poly(3-hexylthiophene): TIPS-pentacene blends aiming transistor applications. Thin Solid Films, v. 608, p. 97-101, JUN 1 2016. (14/13015-9)

NOGUEIRA, GABRIEL LEONARDO; OZORIO, MAIZA DA SILVA; DA SILVA, MARCELO MARQUES; MORAIS, ROGERIO MIRANDA; ALVES, NERI. Middle Electrode in a Vertical Transistor Structure Using an Sn Layer by Thermal Evaporation. ELECTRONIC MATERIALS LETTERS, v. 14, n. 3, p. 319-327, MAY 2018. (13/26973-5, 14/13015-9)