Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo

• Processo: 15/05830-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado
• Data de Início da vigência: 28 de maio de 2015
• Data de Término da vigência: 07 de setembro de 2015
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gustavo Martini Dalpian
• Beneficiário: Antonio Cláudio Michejevs Padilha
• Supervisor: Hannes Harald Raebiger
• Instituição Sede: Centro de Ciências Naturais e Humanas (CCNH). Universidade Federal do ABC (UFABC). Ministério da Educação (Brasil). Santo André , SP, Brasil
• Instituição Anfitriã: Yokohama National University, Japão
• Vinculado à bolsa: 11/21719-8 - Simulações ab initio de sistemas memristivos: da matéria prima ao dispositivo, BP.DR
• Assunto(s): Teoria do funcional da densidade Dióxido de titânio Métodos ab initio Transporte eletrônico Dispositivos eletrônicos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ab initio | density functional theory | memristive devices | Memristor | resistance switching | Titanium Oxide | Cálculos de estrutura eletrônica de materiais

Resumo

Memristores e Dispositivos Memristivos foram propostos há quase 40 anos atrás, mas apenas em 2008 foram devidamente caracterizados em laboratório. Tais dispositivos são fortes candidatos a proporcionar uma mudança de paradigma na fabricação de dispositivos eletrônicos para armazenamento volátil e não volátil de dados, através da confecção de sistemas mais densos, mais rápidos e mais duráveis que os atuais. Sua aplicação imediata no entanto ainda não é possível, pois não há entendimento su ciente de seu funcionamento a nível atomístico para que seu funcionamento possa ser devidamente parametrizado. Neste projeto temos como objetivo utilizar técnicas ab initio do estado da arte, como DFT e transporte no formalismo de funções deGreen fora do equilíbrio, para estudar os constituintes de um dispositivo separadamente e em conjunto, de modo a contribuir no entendimento da estrutura eletrônica, con figuração dos átomos e o transporte eletrônico destes sistemas em um nível fundamental. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

PADILHA, A. C. M.; RAEBIGER, H.; ROCHA, A. R.; DALPIAN, G. M.. Charge storage in oxygen deficient phases of TiO2: defect Physics without defects. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, JUL 1 2016. (10/16202-3, 15/05830-7, 16/11429-6, 11/19924-2, 11/21719-8, 13/22577-8)

RAEBIGER, HANNES; PADILHA, ANTONIO CLAUDIO M.; ROCHA, ALEXANDRE REILY; DALPIAN, GUSTAVO M.. Electronic mechanism for resistive switching in metal/insulator/metal nanodevices. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 53, n. 29, JUL 15 2020. (11/21719-8, 13/22577-8, 15/05830-7)