Estudo de supercapacitores impressos integrando transistores com eletrólito no gate

• Processo: 18/02604-4
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2018
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2023
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica
• Pesquisador responsável: Neri Alves
• Beneficiário: Maykel dos Santos Klem
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil
• Bolsa(s) vinculada(s): 21/14141-1 - Estudo de eletrodos à base de grafeno induzido por laser para aplicação em dispositivos biodegradáveis, BE.EP.DR
• Assunto(s): Eletrônica Supercapacitores Transistores Eletrólitos Molibdênio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Cap-trans | Dissulfeto de molibdênio | MoS2 | Supercapacitor | Transistor com eletrólito no gate | Eletrônica impressa

Resumo

O atual desenvolvimento de pesquisas na área de eletrônica impressa e o avanço de aparelhos eletrônicos leves, finos e flexíveis exigem dispositivos de chaveamento e armazenamento de energia com essas mesmas características. Neste contexto, dispositivos impressos sobre substratos flexíveis, como papel e PET, têm atraído bastante atenção recentemente. O dissulfeto de molibdênio, que é um dicalcogeneto de metal de transição, vem sendo cogitado como um substituto ao grafeno, por formar estruturas de nanofolhas (monocadas 2D) e principalmente por possuir bandgap intrínseco de 1,8 eV. Essas características tornam esse material interessante para aplicações em transistores com eletrólito no gate e em eletrodos de supercapacitores. Além do bandgap, sua estrutura possui grande área específica, contribuindo para a formação da dupla camada elétrica nestes dispositivos. O presente projeto tem como principal objetivo a produção e a caracterização de supercapacitores impressos integrando transistores com eletrólito no gate uma mesma estrutura, utilizando o MoS2 como principal material. Este dispositivo híbrido trará aplicações no desenvolvimento de circuitos com elementos totalmente impressos, leves e flexíveis, que supram a demanda do atual cenário de desenvolvimento da eletrônica. (AU)

Publicações científicas

(6)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

DOS SANTOS KLEM, MAYKEL; LEONARDO NOGUEIRA, GABRIEL; ALVES, NERI. High-performance symmetric supercapacitor based on molybdenum disulfide/poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate) composite electrodes deposited by spray-coating. INTERNATIONAL JOURNAL OF ENERGY RESEARCH, v. 45, n. 6, SI, JAN 2021. (18/02604-4)

MORAIS, ROGERIO; VIEIRA, DOUGLAS HENRIQUE; KLEM, MAYKEL DOS SANTOS; GASPAR, CRISTINA; PEREIRA, LUIS; MARTINS, RODRIGO; ALVES, NERI. Printed in-plane electrolyte-gated transistor based on zinc oxide. Semiconductor Science and Technology, v. 37, n. 3, MAR 1 2022. (20/12282-4, 18/02604-4)

BERTOLDO, LUIS H. T.; NOGUEIRA, GABRIEL L.; VIEIRA, DOUGLAS H.; KLEM, MAYKEL S.; OZORIO, MAIZA S.; ALVES, NERI. Analytical study of a solution-processed diode based on ZnO nanoparticles using multi-walled carbon nanutubes as Schottky contact. JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS, v. 33, n. 18, p. 11-pg., 2022-05-23. (18/02037-2, 21/01548-6, 18/02604-4, 20/12282-4)

DOS SANTOS KLEM, MAYKEL; LEONARDO NOGUEIRA, GABRIEL; ALVES, NERI. High-performance symmetric supercapacitor based on molybdenum disulfide/poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate) composite electrodes deposited by spray-coating. INTERNATIONAL JOURNAL OF ENERGY RESEARCH, v. 45, n. 6, p. 18-pg., 2021-01-18. (18/02604-4)

KLEM, MAYKEL DOS SANTOS; MORAIS, ROGERIO MIRANDA; GONCALVES RUBIRA, RAFAEL JESUS; ALVES, NERI. Paper-based supercapacitor with screen-printed poly (3, 4-ethylene dioxythiophene)-poly (styrene sulfonate)/multiwall carbon nanotube films actuating both as electrodes and current collectors. Thin Solid Films, v. 669, p. 96-102, JAN 1 2019. (15/18091-8, 18/02604-4)

FERNANDES, JOSE DIEGO; VIEIRA, DOUGLAS HENRIQUE; KLEM, MAYKEL DOS SANTOS; ALVES, NERI. Dinaphtho[2,3-b:2 & PRIME;,3 & PRIME;-f]thieno[3,2-b]thiophene photoresistor: Generation of photocarriers and charge trapping. MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, v. 165, p. 10-pg., 2023-06-06. (20/12060-1, 13/14262-7, 20/12282-4, 18/02604-4)