| Processo: | 18/02604-4 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de maio de 2018 |
| Data de Término da vigência: | 31 de julho de 2023 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica |
| Pesquisador responsável: | Neri Alves |
| Beneficiário: | Maykel dos Santos Klem |
| Instituição Sede: | Faculdade de Ciências e Tecnologia (FCT). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Presidente Prudente. Presidente Prudente , SP, Brasil |
| Bolsa(s) vinculada(s): | 21/14141-1 - Estudo de eletrodos à base de grafeno induzido por laser para aplicação em dispositivos biodegradáveis, BE.EP.DR |
| Assunto(s): | Eletrônica Supercapacitores Transistores Eletrólitos Molibdênio |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Cap-trans | Dissulfeto de molibdênio | MoS2 | Supercapacitor | Transistor com eletrólito no gate | Eletrônica impressa |
Resumo O atual desenvolvimento de pesquisas na área de eletrônica impressa e o avanço de aparelhos eletrônicos leves, finos e flexíveis exigem dispositivos de chaveamento e armazenamento de energia com essas mesmas características. Neste contexto, dispositivos impressos sobre substratos flexíveis, como papel e PET, têm atraído bastante atenção recentemente. O dissulfeto de molibdênio, que é um dicalcogeneto de metal de transição, vem sendo cogitado como um substituto ao grafeno, por formar estruturas de nanofolhas (monocadas 2D) e principalmente por possuir bandgap intrínseco de 1,8 eV. Essas características tornam esse material interessante para aplicações em transistores com eletrólito no gate e em eletrodos de supercapacitores. Além do bandgap, sua estrutura possui grande área específica, contribuindo para a formação da dupla camada elétrica nestes dispositivos. O presente projeto tem como principal objetivo a produção e a caracterização de supercapacitores impressos integrando transistores com eletrólito no gate uma mesma estrutura, utilizando o MoS2 como principal material. Este dispositivo híbrido trará aplicações no desenvolvimento de circuitos com elementos totalmente impressos, leves e flexíveis, que supram a demanda do atual cenário de desenvolvimento da eletrônica. (AU) | |
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