EGOFETs e diodo Schottky: influência do arranjo supramolecular sobre as propriedades elétricas

Resumo

A maioria dos dispositivos eletrônicos de materiais orgânicos são fabricados tendo como elemento transdutor de sinal um filme fino, cuja estruturação (arranjo supramolecular), além das características físicas e químicas do material em si, é um fator fundamental nas propriedades ópticas e elétricas do filme e, consequentemente, dos dispositivos. Neste projeto serão fabricados filmes finos (nanômetros de espessura) de dinaphtho[2,3-b:2',3'-f]thieno[3,2-b]thiophene (acrônimo - DNTT). Os filmes serão produzidos pelas técnicas de evaporação térmica a vácuo (PVD) e Langmuir-Schaefer (LS). Os principais objetivos do trabalho são: i) determinar o arranjo supramolecular dos filmes PVD e LS de DNTT, o que implica em monitorar o crescimento, verificar a formação de agregados, ou não, nos filmes, a organização molecular, a morfologia superficial em escalas micro e nanométrica e a cristalinidade; ii) fabricar transistores de efeito de campo orgânico dependente de eletrólitos (EGOFETs) e diodo Schottky a partir de filmes PVD e LS de DNTT e iii) investigar a influência do arranjo supramolecular destes filmes sobre as propriedades elétricas, sobretudo a mobilidade em diferentes direções (horizontal e vertical). Busca-se assim relacionar a tal mobilidade com o arranjo supramolecular e com a interface eletrodo-filme orgânico. Este projeto insere-se no Temático Instituto Nacional de Ciência e Tecnologia (INCT) em Eletrônica Orgânica (INEO), 2014/50869-6, e será desenvolvido sobre a supervisão do Prof. Dr. Neri Alves. Além disso, prevê um estágio BEPE que será realizado na Universidade de Bangor sob supervisão do Prof. Dr. Jeff Kettley. (AU)