Propriedades opto-eletronicas e estruturais de ligas amorfas a base de nitrogenio.

• Processo: 00/08167-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Alvarez
• Beneficiário: Cristina Tereza Monteiro Ribeiro
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 97/12069-0 - Propriedades estruturais, ópticas e de transporte em semicondutores amorfos, AP.TEM
• Assunto(s): Filmes finos Semicondutores amorfos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Camadas Duras | Filmes Finos | Propriedades Opto Eletonicas | Semicondutores Amorfos

Resumo

Estudo das propriedades ópticas, eletrônicas e estruturais das ligas nitrogenadas CNx GaN e SiNx. Dependendo da conveniência e/ou atributos desejados (gap óptico, propriedades mecânicas e/ou elétricas), os compostos serão preparados mediante as técnicas de sputtering, glow discharge e ion beam assisted deposition. Para a investigação estrutural serão empregadas as técnicas de difração de raios X, espectroscopia Raman e FTIR. As propriedades ópticas serão exploradas, essencialmente, segundo medidas de absorção e emissão (fotoluminescência) nas regiões do UV e VIS, e PDS (photothermal deflection spectroscopy). Para a análise da estrutura eletrônica serão empregadas técnicas de espectroscopia de fotoelétrons tais como XPS e UPS. (AU)