Desenvolvimento de dispositivos eletronicos baseados em filmes de carbono tipo diamante

• Processo: 08/55531-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2008
• Data de Término da vigência: 31 de outubro de 2011
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Marcos Massi
• Beneficiário: Marciel Guerino
• Instituição Sede: Divisão de Ciências Fundamentais (IEF). Instituto Tecnológico de Aeronáutica (ITA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
• Assunto(s): Pulverização catódica Técnicas de caracterização elétrica Microeletrônica Filmes finos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Eletrica | Diamond Like-Carbon (Dlc) | Filmes Finos | Magnetron Sputtering | Microeletronica | Thin Film Transistor (Tft)

Resumo

Este projeto de Pós-Doutorado tem por objetivo principal o desenvolvimento de dispositivos eletrônicos empregando-se filmes de carbono tipo-diamante, no caso os filmes a-C:H, a-C:H nitrogenado (a-C:H:N) e a-C:H fluorado (a-C:H:F). Estes materiais serão depositados com diferentes níveis de dopagem através da técnica de pulverização catódica (sputtering), por meio de uma descarga elétrica de rádio-freqüência (RF) com cátodo do tipo magnetron. Por sua vez, serão confeccionados os seguintes tipos de transistores: transistores de filme fino, (TFTs - thin film transistors) e MESFETs (metal-semiconductor field effect). Para o desenvolvimento destes dispositivos, serão confeccionadas, inicialmente, estruturas do tipo metal-isolante-metal (MIM), onde serão realizadas medidas de curvas corrente-tensão (I-V), a fim de se realizar um estudo dos contatos elétricos formados em nossos materiais. Posteriormente, será obtido, através destas mesmas curvas I-V, a condutividade e os mecanismos de condução dos materiais em estudo. Ao término deste projeto de pesquisa será realizada uma análise correlacionando as características eletrônicas dos materiais em estudo com as curvas características obtidas dos transistores. Com a realização deste projeto, será possível dar continuidade aos trabalhos executados durante o desenvolvimento de meu doutoramento, momento no qual, foi possível avançar significativamente na caracterização eletro-óptico de filmes a-C:H, a-C:H:N e a-C:H:F, mas o estudo a respeito do uso destes filmes em transistores foi apenas preliminar, resumindo-se em alguns testes de prova de princípio. De maneira que minha permanência no ITA, na condição de pós-doutorando é de fundamental importância na continuidade do projeto, consolidação da tecnologia e conseqüentemente no incremento da produção científica e tecnológica do grupo onde será realizado o trabalho. (AU)