Estudo e Caracterização Elétrica de Transistores de Portas Múltiplas

• Processo: 10/07015-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2010
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2011
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Isabela Merath Gomide
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 08/05792-4 - Projeto, fabricação e caracterização de transistores FinFETs, AP.TEM
• Assunto(s): Microeletrônica Transistores FinFET Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Efeitos de Canal Curto | FinFET | Multiplas Portas | Transistores | Microeletrônica

Resumo

Os transistores de múltiplas portas que serão fabricados em tecnologia SOI constituem uma das mais promissoras alternativas à escalabilidade dos dispositivos, pois tem apresentado uma redução do efeito de canal curto em relação aos transistores de porta única, maior densidade de integração de dispositivos e melhor controle da corrente de dreno.Este projeto de iniciação científica esta vinculado ao projeto temático "Projeto, Fabricação e Caracterização de transistores FinFETs" onde serão fabricados os transistores de múltiplas portas que serão estudados em temperatura ambiente, por meio de caracterização elétrica e simulação, para entender melhor a física dos dispositivos semicondutores apresentando as vantagens e/ou desvantagens deste tipo de estrutura.