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Caracterizacao eletrica de tecnologia nmos.

Processo: 07/01475-1
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Data de Início da vigência: 01 de junho de 2007
Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2008
Área de conhecimento:Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
Pesquisador responsável:João Antonio Martino
Beneficiário:Vinicius Heltai Pacheco
Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Microeletrônica   Técnicas de caracterização elétrica   Circuitos integrados   Transistores MOSFET
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Caracterização Elétrica | circuito integrado | Mosfet | Tecnologia NMOS | Microeletronica

Resumo

Neste trabalho deseja-se estudar teórica e experimentalmente as características de dispositivos construídos com a tecnologia nMOS fabricados na Universidade em Toulouse – França (Atelier Interuniversitaire de Micro-Électronique - AIME). Através dos resultados obtidos com a caracterização elétrica dos dispositivos integrados básicos (transistores, capacitores e diodos) deseja-se correlacionar com as etapas de fabricação dos mesmos.Para a extração dos principais parâmetros elétricos a serem estudados serão utilizados o Analisador de Parâmetros Agilent 4156C e o Medidor LCR HP 4280 que permitem a extração de curvas de corrente versus tensão (IxV) e capacitância versus tensão (CxV). Estes resultados serão então utilizados para o estudo e modelagem das principais características dos componentes fabricados.

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