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Estudo da formação de defeitos relacionados com a não-linearidade de segunda ordem em preformas vítreas de SiO2:GeO2 fabricadas pela técnica de deposição em fase de vapor - VAD

Processo: 00/15035-4
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de abril de 2001
Data de Término da vigência: 31 de março de 2004
Área de conhecimento:Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica - Materiais Não-metálicos
Pesquisador responsável:Carlos Kenichi Suzuki
Beneficiário:Raul Fernando Cuevas Rojas
Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Mecânica (FEM). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Auxílio(s) vinculado(s):04/03151-0 - Método para induzir, controlar e aumentar a criação de centros de defeitos associados a fotosensitividade e geração do segundo harmônico em preformas de SiO2:GeO2 fabricadas pela técnica de deposição axial em fase vapor (VAD), AP.PAPI
Assunto(s):Sílica vítrea   Germânio   Deposição axial na fase vapor
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Metodo Vad

Resumo

Neste trabalho realizaremos um estudo sistemático dos efeitos da composição e do controle da geração de defeitos intrínsecos sobre as propriedades não-lineares de segunda ordem em preformas vítreas de SiO2:GeO2, fabricadas pelo método VAD ("vapor phase-axial deposition"). Este estudo é orientado à procura das melhores condições do processo de fabricação para a formação efetiva de defeitos úteis que permitam otimizar as propriedades não-lineares de segunda ordem nestes materiais. Até hoje, os estudos sobre a propriedade não-linear de segunda ordem em preformas de SiO2:GeO2, foram realizados em preformas vítreas de uso comercial, nas quais é difícil controlar os estados de defeitos considerando que tantos estes, quanto sua dependência com a concentração de GeO2, depende dos parâmetros relacionados com as condições do processo de preparação das preformas. No método VAD, parâmetros como a temperatura de deposição, concentração de GeO2, mistura de gases, razão H2/O2, entre outros, podem afetar criticamente a densidade dos Centros Deficientes de Oxigênio do Germânio (CDOG). (AU)

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PROCESSO PARA INDUZIR, AUMENTAR E CONTROLAR A CRIAÇÃO DE CENTROS DE DEFEITOS ASSOCIADOS À FOTOSENSITIVIDADE E GERAÇÃO DO SEGUNDO HARMÔNICO EM PREFORMAS DE SiO2:GeO2 FABRICADAS PELA TÉCNICA DE DEPOSIÇÃO AXIAL EM FASE VAPOR (VAD) PI0404965-9 - Fundação de Amparo à Pesquisa do Estado de São Paulo (FAPESP) ; Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP) . Carlos Kenichi Suzuki ; Raul Fernando Cuevas Rojas - 16 de novembro de 2004