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Filmes finos obtidos por tecnicas de deposicao de vapores quimicos: sintese, caracterizacao e estudo de propriedades.

Processo: 02/07482-6
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2002
Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2003
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Mário Antonio Bica de Moraes
Beneficiário:Benedito Claudio Trasferetti
Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
Assunto(s):Filmes finos   Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Deposicao De Vapores Quimicos | Filmes Finos | Mateirias De Baixo K | Oxido De Germanio | Oxidos De Metais De Transicao | Pecvd

Resumo

O presente projeto visa à obtenção de diversos tipos de filmes finos empregando duas diferentes técnicas de Deposição de Vapores Químicos ("Chemical Vapour Deposition" - CVD): a estimulada por plasma ("Plasma-Enhanced CVD" - PECVD) e a do filamento aquecido ("Hot Filament CVD" - HFCVD). A primeira será utilizada na obtenção de filmes poliméricos contento Germânio (análogos estruturais dos polissiloxanos e a sistemas do tipo SiOx) e também na obtenção de filmes de materiais de baixa constante dielétrica, como a sílica fluorada (SiOF). A segunda técnica de deposição será utilizada na obtenção de filmes de óxidos de metais de transição, como o de molibdênio e o de tungstênio. Com o emprego de diversas técnicas de caracterização, objetiva-se investigar a composição, morfologia, estrutura química e propriedades ópticas e elétricas dos filmes depositados. Dentre as técnicas de caracterização que serão utilizadas, destacam-se: espectroscopia de fotoelétrons excitados por raio-X, espectroscopia no infravermelho, espectroscopia Raman, retroespealhamento de Rutherford, difratometria de raios-X, e, possivelmente, espectroscopia de absorção de raios-X. (AU)

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