Obtenção e caracterização de filmes finos de nitreto de silício por deposição ECR-CVD

• Processo: 96/07719-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de dezembro de 1996
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1998
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Jose Alexandre Diniz
• Beneficiário: Jose Alexandre Diniz
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Nitreto de silício Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Deposicao | Ecr-Cvd | Filmes Finos | Nitreto De Silicio | Plasma | Semicondutores

Resumo

Através da deposição química a química a partir da fase vapor auxiliada por plasma remoto (RPCVD), pretende-se obter filmes finos de nitreto de silício sobre substratos semicondutores, para a aplicação em transistores HBT ("Heterojunction bipolar transistor") e MESFET ("Metal semiconductor field-effect transistor"), fabricados com substratos de GaAs, e dispositivos de Si. O interesse nestes filmes isolantes finos e nesta tecnologia cresce à medida que aumentam os níveis de integração e de complexidade dos atuais dispositivos e circuitos eletrônicos com dimensões submicrométricas. (AU)