Nitreto de boro preparado pela técnica de PECVD em baixas temperaturas

• Processo: 98/01766-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Johnny Vilcarromero López
• Beneficiário: Johnny Vilcarromero López
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Nitreto de boro
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura | Filmes Finos | Microcristais | Nitreto De Boro | Pecvd

Resumo

O presente projeto pretende a obtenção e estudo das propriedades das amostras de Nitreto de Boro obtida pela técnica de plasma enhanced vapour deposition (PECVD) em temperaturas abaixo de 600 C. A preparação das amostras será dirigida no sentido de se obter filmes de nitreto de boro com maiores taxas de crescimento e de otimizar as condições de deposição para a obtenção de filmes com uma maior presença de micro-cristais, preferencialmente de fase cúbica (tipo diamante). O estudo das propriedades também será dirigido no sentido de aprofundar o conhecimento da relação entre os parâmetros de deposição e as propriedades dos filmes. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

VILCARROMERO‚ J.; CARREÑO‚ MNP; PEREYRA‚ I.. Mechanical properties of boron nitride thin films obtained by RF-PECVD at low temperatures. Thin Solid Films, v. 373, n. 1, p. 273-276, 2000. (98/01766-5)

J. VILCARROMERO; M.N.P. CARREÑO; I. PEREYRA; N. C. CRUZ; E.C. RANGEL. Preparation and characterization of nanocrystalline h-BN films prepared by PECVD method. Brazilian Journal of Physics, v. 32, p. 372-375, 2002-06-00. (98/01766-5)