Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/GaInP

• Processo: 00/00713-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Jose Bras Barreto de Oliveira
• Beneficiário: Marcio Roberto Martins
• Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 96/11813-5 - Caracterização óptica de heteroestruturas semicondutoras crescidas por CBE, AP.JP
• Assunto(s): Fotoluminescência Semicondutores Poços quânticos Propriedades ópticas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Interfaces | Pocos Quanticos | Propriedades Opticas | Semicondutores

Resumo

O projeto consiste em estudar, por meio das técnicas de fotoluminescência (PL) e fotoluminescência de excitação (PLE), as propriedades de interfaces em poços quânticos formados pela junção GaAs/GaInP. O interesse no estudo reside no fato que a liga InGaP se apresenta como forte candidata a substituir à liga GaAIAs na confecção de dispositivos opto-eletrônicos e em razão de que este é um sistema pouco estudado. As amostras serão crescidas pela técnica de epitaxia por feixe químico (CBE). A metodologia de estudo consiste em analisar as propriedades ópticas tais como: presença ou não de emissão excitônica relacionada com níveis confinados no poço, a forma de linha da PL, os valores do deslocamento de Stokes e relacioná-las com as propriedades micro-estruturais das interfaces. O objetivo principal do trabalho é o de variar os parâmetros de crescimento tipo: a seqüência de interrupção de crescimento na interface, a temperatura do substrato e a presença ou não de camadas adicionais colocadas nas interfaces, de modo a otimizar a qualidade destas. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MARTINS, Marcio Roberto. Estudo de interfaces em poços quânticos de GaAs/GalnP. 2002. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) São Carlos.