Modelamento empírico e analítico de transistores SOI MOS em altas temperaturas

• Processo: 96/12611-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1997
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Marcello Bellodi
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores Simulação numérica Alta temperatura
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Altas Temperaturas | Caracterizacao Eletricas | Simulacao Numerica | Tecnologia Soi

Resumo

Neste trabalho deseja-se estudar teórica e experimentalmente o comportamento do transistor tipo metal - óxido - semicondutor implementados em lâminas de Silício sobre isolante (SOI - MOSFET) operando desde a temperatura ambiente até 300ºC. O trabalho iniciará com o modelamento empírico de diversas estruturas SOI-MOSFET disponíveis, o qual será validado através de simulações numéricas bidimensionais nesta faixa de temperatura em estudo. Em seguida, o comportamento empírico obtido juntamente com o estudo físico dos dispositivos SOI MOSFETs serão utilizados como base para o desenvolvimento de um modelamento analítico do SOI MOSFET modo inversão e modo acumulação. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

BELLODI, Marcello. Estudo das componentes e modelagem das correntes de fuga em dispositivos SOI MOSFET operando em altas temperaturas.. 2001. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.