Estudo teórico-experimental da obtenção de oxinitretos de silício de porta MOS ultrafinos

• Processo: 99/10615-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de março de 2004
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Sebastiao Gomes dos Santos Filho
• Beneficiário: Leandro Zeidan Toquetti
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dieletricos Ultra-Finos | Giga Scale Integration | Oxinitretos De Silicio | Rigidez Dieletrica

Resumo

Neste trabalho, far-se-á um estudo da obtenção de camadas ultra-finas de Oxinitretos de Silício (SiOxNy) de alta qualidade com espessuras na faixa de 3nm a 10nm, de forma a se obter características elétricas de porta melhoradas, compatíveis com altíssima escala de integração para circuitos integrados (GSI: Giga Scala Integration) e também compatíveis com o processo de fabricação de diodos túnel e células solares de alto desempenho. O controle de qualidade consistirá em obter-se filmes de oxinitretos com baixa contaminação de metais e partículas, tendo em vista estabelecer baixos níveis de densidade de cargas no oxinitreto e ruptura da rigidez dielétrica do tipo "intrínseco" (campo de ruptura maior ou igual a 13MV/cm). (AU)