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Crescimento de poços e pontos quânticos in GaAs sobre substrato de GaAs orientados (n 1 1) A e B

Processo: 95/03492-1
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1995
Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2000
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Euclydes Marega Junior
Beneficiário:Emmanuel Petitprez
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Defeitos | Interface | Pontos Quanticos | Segregacao | Seletivos Mae | Zero Dimensao

Resumo

O objetivo deste trabalho é estudar a Física e os processos relacionados com o crescimento epitaxial no sistema de epitaxial por feixes moleculares através da caracterização ótica e elétrica. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
PETITPREZ, Emmanuel. Propriedades Ópticas e Estruturais de Super-Redes de Pontos Quânticos Auto-Organizados de InAs. 2000. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) São Carlos.