Modelagem teórica de estados ionizados em sistemas complexos de silício

• Processo: 00/14787-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marilia Junqueira Caldas
• Beneficiário: Henady Malarenko Junior
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Métodos ab initio Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos Extensos | Discordancias | Interface Si/Sio2 | Metodos Ab Initio | Semicondutores

Resumo

Defeitos extensos, e mais especificamente discordâncias, em semicondutores têm despertado grande interesse nos últimos anos devido aos efeitos que estes causam nas propriedades dos materiais. O principal objetivo deste trabalho é entender as propriedades eletrônicas e estruturais de defeitos extensos em semicondutores. Iremos fazer uma investigação teórica das propriedades de segregação de defeitos pontuais (principalmente oxigênio e hidrogênio) em discordâncias de silício e até mesmo em outros semicondutores. O estudante terá a oportunidade de usar o estado-da-arte em modelamento teórico (a nível atômico), usando métodos ab initio, métodos semi-empíricos e potenciais interatômicos. Este trabalho envolverá o desenvolvimento e o uso de novos métodos computacionais, como a parametrização de potenciais empíricos e a implementação desses modelos em códigos computacionais de dinâmica molecular. (AU)