Estudo dos mecanismos de dopagem no silicio amorfo hidrogenado.

• Processo: 97/14276-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de maio de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Francisco das Chagas Marques
• Beneficiário: Mauricio Morais de Lima Junior
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: A-Si-H | Dopagem Tipo-P | Fontes Solidas | Mecanismos De Dopagem | Rf-Sputtering

Resumo

Neste projeto, realizaremos um estudo de dopagem tipo-p no a-Si:H. Os filmes serão preparados pela técnica de rf-sputtering para que seja possível utilizar fontes sólidas como dopantes. Serão usados como dopantes os elementos B, Al, Ga e In (coluna III). O boro, apesar de já ser bastante estudado, será utilizado para que seja possível comparar nossos resultados com os demais já publicados na literatura. Neste estudo, investigaremos as diferenças que ocorrem devido à especificidade química dos elementos considerados. Os resultados serão confrontados com os modelos existentes para a dopagem do a-Si:H com boro e fósforo, e com o estudos realizados sobre a dopagem do a-Ge:H com estes e com os outros elementos mencionados acima. Estas análises poderão fornecer informações que nos permitam entender melhor o processo de dopagem em semicondutores amorfos, dando suporte para algum dos modelos existentes ou mesmo para um modelo mais geral. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

LIMA JUNIOR, Mauricio Morais de. Ressonância paramagnética em germânio amorfo hidrogenado e silício microcristalino hidrogenado. 2002. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.