Analise do funcionamento de dispositivos gc soi mosfet em altas temperaturas.

• Processo: 01/02730-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2001
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: Milene Galeti
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Transistores MOSFET Alta temperatura Transistores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Altas Temperaturas | Mosfet | Soi | Transistor

Resumo

O transistor SOI MOSFET com dopagem assimétrica na região de canal (GC SOI MOSFET) foi desenvolvido recentemente, com o intuito de elevar a tensão de ruptura de dreno dos transistores SOI totalmente depletados. Os resultados obtidos foram promissores, indicando uma significativa melhora na condutância de dreno, na tensão Early e na corrente de saturação, além de uma sensível redução da ocorrência de efeitos bipolares parasitários, com elevação na tensão de ruptura. Estas características são extremamente interessantes para transistores MOS utilizados, principalmente em circuitos analógicos para aplicações com baixa tensão de alimentação e baixo consumo de potência (as chamadas aplicações "low-power low-voltage"). Neste trabalho de mestrado deseja-se estudar teórica e experimentalmente o comportamento do transistor GC SOI MOSFET operando em altas temperaturas (até 300 C). (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

GALETI, Milene. Análise do funcionamento de dispositivos GC SOI MOSFET em altas temperaturas.. 2003. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.