Texto completo
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| Autor(es): |
Edmilton Gusken
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Dissertação de Mestrado |
| Imprenta: | Campinas, SP. |
| Instituição: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Mecânica |
| Data de defesa: | 2001-03-15 |
| Membros da banca: |
Carlos Kenichi Suzuki;
Luiz Carlos Barbosa;
Francisco Smolka
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| Orientador: | Carlos Kenichi Suzuki |
| Resumo | |
A espectrometria de fluorescência de raios- X (FRX) foi utilizada para o estudo do perfil de concentração do germânio em preformas de sílica-germânia para fibras ópticas, fabricadas pela tecnologia de deposição axial na fase vapor ("V AD - vapor-phase axial deposition"). Atuando em conjunto com o grupo de processamento V AD do Laboratório Ciclo Integrado de Quartzo, FEM/UNICAMP, conseguiu-se estender este estudo ao nível de entendimento da influencia dos parâmetros das diversas etapas de processamento da performa (deposição, desidratação, e consolidação) na concentração do Ge02. m trabalho fundamental da metodologia de análise por FRX envolvendo modernos métodos computacionais (por exemplo, método "Fundamental Parameter") e métodos especiais de preparação de amostras propiciaram resultados de grande confiabilidade e precisão nas medidas realizadas. A técnica de FRX foi também aplicada para estudar o efeito Auger radiativa no espectro característico de fluorescência de raios-X. Esta técnica denominada EXEFS ("Extended X-ray Emission Fine Structure"), mede o espectro K-LL da raia do silício, sendo similar à técnica de EXAFS ("Extended X-ray Absorption Fine Struture"). Assim sendo, utilizou-se neste trabalho a técnica de EXEFS para a análise estrutural da sílica-germânia, obtendo-se informações sobre as distâncias interatômicas do silício com o primeiro vizinho (Si-O), e o segundo (Si-Si ou Si-Ge), e também sobre o numero de coordenação. Os resultados mostram a forte influencia da concentração de Ge02 na estrutura da sílica-germânia fabricadas pelo processo V AD (AU) | |
| Processo FAPESP: | 99/02589-2 - Dopagem de GeO2 em preforma de sílica vítrea VAD para fibras ópticas: caracterização por espectrometria de fluorescência de Raio X |
| Beneficiário: | Edmilton Gusken |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |