Leis de escala e dimensão fractal em filmes finos: microscopia de força atômica e técnicas eletroquímicas

Autor(es)

Térsio Guilherme de Souza Cruz

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: Campinas, SP.
• Instituição: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
• Data de defesa: 2002-12-09

Membros da banca

Annette Gorenstein; Osvaldo Novais de Oliveira Júnior; Roberto Manuel Torresi; Mônica Alonso Cotta; Aurea Rosas Vasconcellos

• Orientador: Annette Gorenstein; Maurício Urban Kleinke

Resumo

Neste trabalho, a morfologia da superfície de filmes finos de NiOx e MoOx depositados por pulverização catódica foi estudada através da técnica de microscopia de força atômica e por técnicas eletroquímicas (voltametria cíclica e espectroscopia de impedância eletroquímica). Em cada técnica, a caracterização da superfície foi feita por meio de sua dimensão fractal, usando-se o conceito de leis de escala. Os resultados da microscopia de força atômica mostraram que os filmes apresentam uma morfologia granular, típica de superfícies depositadas por esta técnica. Para todas as amostras foram obtidos dois valores para a dimensão fractal, indicando duas dinâmicas de crescimento distintas: uma global, relacionada à distribuição dos grãos na superfície da amostra e outra local, associada à distribuição existente no topo de cada grão. Resultados semelhantes foram obtidos por voltametria cíclica e impedância eletroquímica. Por voltametria cíclica, a dinâmica de crescimento local é evidenciada em altas velocidades de varredura, enquanto que o regime global é associado à medidas em baixas velocidades de varredura. A faixa de freqüência escolhida nos experimentos de espectroscopia de impedância eletroquímica foi compatível com as estruturas menores da superfície (regime local). Em todos os casos, os valores da dimensão fractal encontrados estão em boa concordância (AU)

• Processo FAPESP: 98/00501-8 - Leis de escala e propriedades de transporte em filmes finos depositados por sputtering.
• Beneficiário: Tersio Guilherme de Souza Cruz
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado