Estudo e otimização das propriedades estruturais, ópticas e elétricas de películas de SiOxNy depositadas por PECVD para aplicações em dispositivos MOS, microestruturas e guias de onda.

Autor(es)

Marco Isaías Alayo Chávez

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC)
• Data de defesa: 2000-12-13

Membros da banca

Inês Pereyra; José Alexandre Diniz; Rogerio Furlan; Nilton Itiro Morimoto; Jacobus Willibrordus Swart

• Orientador: Inês Pereyra

Resumo

Neste trabalho apresentamos um estudo sobre a otimização das propriedades físicas, mecânicas e elétricas de películas de dióxido de silício (Si´O IND.2´) e oxinitreto de silício (Si´O IND.x´´N IND.y´) depositadas pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD). O objetivo principal é a obtenção, em baixas temperaturas, de materiais com propriedades adequadas para sua utilização em optoeletrônica, sistemas micro eletromecânicos (MEMS) e na fabricação de dispositivos Metal-Óxido-Semicondutor (MOS). Para os dispositivos MOS, fabricados utilizando como dielétrico filmes de Si´O IND.2´ desenvolvidos anteriormente, e que mostraram excelentes propriedades estruturais e composicionais, foi realizado um estudo visando diminuir a carga efetiva no volume do isolante e na interface isolante/semicondutor. Para o desenvolvimento de MEMS, foram pesquisadas as condições ideais que permitam obter filmes espessos, acima de 1 ´MICROMETRO´, com uma alta resistência à corrosão em KOH e com mínimas tensões mecânicas internas. Assim, a viabilidade de utilizar este material em MEMS foi demonstrada pela fabricação de membranas auto-sustentadas de até 0,8 ´cm POT.2´. Finalmente, visando sua utilização em optoeletrônica, desenvolvemos um estudo das condições de deposição que permitam um controle acurado do índice de refração pois este é o parâmetro fundamental na fabricação de guias de onda. Determinadas estas condições, foram fabricados alguns guiasde onda (do tipo ARROW-B) com baixas atenuações (AU)

• Processo FAPESP: 96/05518-0 - Estudo e optimização das propriedades elétricas de SiO2 depositado por PECVD: aplicação em dispositivos MOSFET
• Beneficiário: Marco Isaías Alayo Chávez
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado