| Processo: | 06/00480-9 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de maio de 2006 |
| Data de Término da vigência: | 30 de setembro de 2009 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Luis Vicente de Andrade Scalvi |
| Beneficiário: | Luis Vicente de Andrade Scalvi |
| Instituição Sede: | Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil |
| Município da Instituição Sede: | Bauru |
| Assunto(s): | Filmes finos Semicondutores Arsenieto de gálio |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Filmes Finos Semicondutores | filmes finos semicondutores |
Resumo
O projeto pode ser dividido em três linhas de pesquisa, que envolvem fundamentalmente a aquisição de um sistema de evaporação e a compra de reagentes e precursores para a deposição dos filmes. Na primeira linha de pesquisa tratamos da deposição e caracterização de filmes de GaAs intrínsecos e/ou dopados com terras-raras. A segunda linha de pesquisa envolve a confecção de contatos elétricos sobre diversos filmes semicondutores, principalmente SnO2 e GaAs. E na terceira linha de pesquisa abordamos a deposição de filmes finos de Al2O3 sobre GaAs, com potencial utilização em transistores de alta mobilidade, com baixa corrente de fuga. (AU)
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