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Deposição de filmes finos condutores pela técnica de evaporação resistiva

Processo: 06/00480-9
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de maio de 2006
Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2009
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Beneficiário:Luis Vicente de Andrade Scalvi
Instituição Sede: Faculdade de Ciências (FC). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Bauru. Bauru , SP, Brasil
Assunto(s):Filmes finos  Semicondutores  Arsenieto de gálio 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Filmes Finos Semicondutores | filmes finos semicondutores

Resumo

O projeto pode ser dividido em três linhas de pesquisa, que envolvem fundamentalmente a aquisição de um sistema de evaporação e a compra de reagentes e precursores para a deposição dos filmes. Na primeira linha de pesquisa tratamos da deposição e caracterização de filmes de GaAs intrínsecos e/ou dopados com terras-raras. A segunda linha de pesquisa envolve a confecção de contatos elétricos sobre diversos filmes semicondutores, principalmente SnO2 e GaAs. E na terceira linha de pesquisa abordamos a deposição de filmes finos de Al2O3 sobre GaAs, com potencial utilização em transistores de alta mobilidade, com baixa corrente de fuga. (AU)

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Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
LIMA, G. A. B.; FERREIRA, V. G.; CIRILO, E. R.; CASTELO, A.; CANDEZANO, M. A. C.; TASSO, I. V. M.; SANO, D. M. C.; SCALVI, L. V. A.. A continuously differentiable upwinding scheme for the simulation of fluid flow problems. Applied Mathematics and Computation, v. 218, n. 17, p. 8614-8633, . (09/16954-8, 04/16064-9, 06/00480-9)