Produção de filmes e heteroestruturas à base de GaN pela técnica de sputtering reativo para aplicações em dispositivos SAW

Resumo

Este projeto tem como principal objetivo a produção filmes de GaN, AlGaN e InGaN e heteroestruturas multicamadas de AlGaN/GaN e InGaN/GaN pela técnica de sputtering reativo para aplicações em dispositivos/sensores a base de ondas acústicas de superfícies (SAW). Visa-se obter camadas com nanoestrutura ordenada, alto grau de cristalização e textura, além de superfícies e interfaces bem definidas e com baixa rugosidade. Através do monitoramento apropriado do processo de crescimento associado com as caracterizações das amostras obtidas e de resultados de simulações computacionais visa-se obter um entendimento profundo e um ótimo controle sobre o crescimento destes materiais, além de promover avanços no conhecimento e tecnologia de filmes finos e heteroestruturas a base de GaN crescidos pela técnica de sputtering reativo. Através de colaboração com grupo de pesquisa interno ao ITA, os filmes e heteroestruturas serão aplicados em dispositivos SAW e os resultados servirão de feedback para as rotinas de otimização das amostras. É importante frisar que a aplicação de GaN e suas ligas/heteroestruturas relacionadas crescidas por sputtering em dispositivos SAW é inédito e desperta grande interesse científico e tecnológico, fato que eleva exponencialmente o impacto deste trabalho. E, dado o interesse atual nessa classe de materiais e o poder tecnológico e industrial da técnica de sputtering, os seus resultados diretos e indiretos levarão a publicações em jornais indexados de alta circulação e a possíveis registros de patentes. Adicionalmente, o desenvolvimento deste projeto proporcionará a implantação da linha de pesquisa em GaN e materiais relacionados no ITA abrindo um novo leque de temas de pesquisas, dissertações de mestrado e teses de doutorado. (AU)