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Dispositivos optoeletrônicos baseados em semicondutores bidimensionais

Processo:19/23488-5
Modalidade de apoio:Auxílio à Pesquisa - Regular
Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2021
Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 2023
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Yara Galvão Gobato
Beneficiário:Yara Galvão Gobato
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Município da Instituição Sede:São Carlos
Pesquisadores associados:Ingrid David Barcelos
Auxílio(s) vinculado(s):22/00419-0 - Heteroestruturas de Van der Waals para spintrônica, AP.R SPRINT
Assunto(s):Óptica eletrônica  Semicondutores  Heteroestruturas  Materiais bidimensionais  Transistores de efeito de campo  Spintrônica  Propriedades ópticas 
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Dispositivos Semicondutores | materiais 2D | Optoeletrônica | padrão de Moiré | Propriedades Óticas | Spintrônica | propriedades óticas

Resumo

Nesta proposta, pretendemos investigar propriedades óticas e elétricas de heteroestruturas de van der Waals com grande ênfase em dispositivos tipo "Field Eletric Transistor" (FET). Com isso, pretendemos investigar o efeito do padrão de Moiré e do gate elétrico nas propriedades físicas destes sistemas. Particularmente, pretendemos investigar: heteroestruturas com diferentes ângulos de alinhamento (diferentes padrões de Moiré), efeito da dopagem controlada por gate elétrico no factor g de Landé de complexos excitônicos, possível obtenção e investigação de propriedades de condensados de Bose-Einstein de éxcitons indiretos (éxcitons de interface em heteroestruturas de alinhamento tipo II), fator g de condensados de Bose-Eistein, efeito do campo elétrico vertical no controle de hibridização de éxcitons de Moiré em WS2-MoSe2 e etc. Além disso, pretendemos também iniciar um estudo de heteroestruturas contendo diferentes materiais 2D magnéticos. Em particular, temos grande interesse em estudar a dependência do padrão de Moiré e do gate elétrico nas propriedades magnéticas e óticas e no efeito de proximidade magnética em heteroestruturas contendo materiais 2D magnéticos. O projeto proposto envolve diversas colaborações nacionais e internacionais tanto para preparação de amostras/dispositivos baseados em heteroestruturas 2Ds como para estudos complementares de propriedades óticas desses sistemas. (AU)

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Publicações científicas (12)
(As publicações científicas contidas nesta página são originárias da Web of Science ou da SciELO, cujos autores mencionaram números dos processos FAPESP concedidos a Pesquisadores Responsáveis e Beneficiários, sejam ou não autores das publicações. Sua coleta é automática e realizada diretamente naquelas bases bibliométricas)
TRENCH, ALINE B.; ALVAREZ, ROMAN; TEODORO, VINICIUS; DA TRINDADE, LETICIA G.; MACHADO, THALES R.; TEIXEIRA, MAYARA M.; DE SOUZA, DANIELE; PINATTI, IVO M.; SIMOES, ALEXANDRE Z.; GOBATO, YARA GALVAO; et al. Interface matters: Design of an efficient alpha-Ag2WO4/Ag3PO4 photocatalyst. Materials Chemistry and Physics, v. 280, p. 12-pg., . (19/25944-8, 19/23488-5, 19/23488-5, 19/03722-3, 13/07296-2)
ALHASSAN, SULTAN; DE SOUZA, DANIELE; ALHASSNI, AMRA; ALMUNYIF, AMJAD; ALOTAIBI, SAUD; ALMALKI, ABDULAZIZ; ALHUWAYZ, MARYAM; KAZAKOV, IGOR P.; KLEKOVKIN, V, ALEXEY; TSEKHOSH, I, VLADIMIR; et al. Investigation of the effect of substrate orientation on the structural, electrical and optical properties of n-type GaAs1-xBix layers grown by Molecular Beam Epitaxy. Journal of Alloys and Compounds, v. 885, . (19/07442-5, 19/23488-5)
AL HUWAYZ, M.; GALETI, H. V. A.; LEMINE, O. M.; IBNAOUF, K. H.; ALKAOUD, A.; ALASKAR, Y.; SALHI, A.; ALHASSAN, S.; ALOTAIBI, S.; ALMALKI, A.; et al. Optical properties of self-assembled InAs quantum dots based P-I-N structures grown on GaAs and Si substrates by Molecular Beam Epitaxy. Journal of Luminescence, v. 251, p. 6-pg., . (19/23488-5)
COVRE, F. S.; FARIA, P. E., JR.; GORDO, V. O.; DE BRITO, C. SERATI; ZHUMAGULOV, Y., V; TEODORO, M. D.; COUTO, O. D. D., JR.; MISOGUTI, L.; PRATAVIEIRA, S.; ANDRADE, M. B.; et al. Revealing the impact of strain in the optical properties of bubbles in monolayer MoSe2. NANOSCALE, v. 14, n. 15, p. 11-pg., . (14/19142-2, 18/01808-5, 19/23488-5, 13/18719-1, 09/54035-4, 12/11382-9)
TONG, CAPUCINE; BIDAUD, THOMAS; KOIVUSALO, EERO; PITON, MARCELO RIZZO; GUINA, MIRCEA; AVANCO GALETI, HELDER VINICIUS; GOBATO, YARA GALVAO; CATTONI, ANDREA; HAKKARAINEN, TEEMU; COLLIN, STEPHANE. athodoluminescence mapping of electron concentration in MBE-grown GaAs:Te nanowire. Nanotechnology, v. 33, n. 18, . (14/50513-7, 19/23488-5, 19/07442-5)
GOBATO, Y. GALVAO; DE BRITO, C. SERATI; CHAVES, A.; PROSNIKOV, M. A.; WOZNIAK, T.; GUO, SHI; BARCELOS, INGRID D.; V. MILOSEVIC, M.; WITHERS, F.; CHRISTIANEN, P. C. M.. Distinctive g-Factor of Moire-Confined Excitons in van der Waals Heterostructures. Nano Letters, v. 22, n. 21, p. 6-pg., . (18/01808-5, 14/07375-2, 19/14017-9, 15/13771-0, 19/23488-5)
ALMALKI, ABDULAZIZ; MADANI, LABED; SENGOUGA, NOUREDINE; ALHASSAN, SULTAN; ALOTAIBI, SAUD; ALHASSNI, AMRA; ALMUNYIF, AMJAD; CHAUHAN, JASBINDER S.; HENINI, MOHAMED; GALETI, HELDER VINICIUS AVANCO; et al. Investigation of deep defects and their effects on the properties of NiO/f-Ga 2 O 3 heterojuncion diodes. MATERIALS TODAY ELECTRONICS, v. 4, p. 12-pg., . (19/23488-5, 19/07442-5)
PRANDO, GABRIELA AUGUSTA; SEVERIJNEN, MARION E.; BARCELOS, INGRID D.; ZEITLER, ULI; CHRISTIANEN, PETER C. M.; WITHERS, FREDDIE; GOBATO, YARA GALVAO. Revealing Excitonic Complexes in Monolayer WS2 on Talc Dielectric. PHYSICAL REVIEW APPLIED, v. 16, n. 6, . (19/23488-5, 18/01808-5, 18/00823-0)
MACHADO, EDUARDO G.; MARCHEZI, PAULO E.; THEREZIO, ERALCI M.; GERMINO, JOSE CARLOS; SZOSTAK, RODRIGO; DE BRITO, CAIQUE S.; GOBATO, YARA G.; PEREIRA, ERNESTO C.; TONEY, MICHAEL F.; NAGAO, RAPHAEL; et al. Light-induced halide segregation in perovskites with wrinkled morphology. JOURNAL OF ENERGY CHEMISTRY, v. 71, p. 6-pg., . (17/11986-5, 13/07296-2, 17/00089-2, 19/23488-5, 14/50249-8, 16/01817-9, 17/12582-5)
NUTTING, DARREN; PRANDO, GABRIELA A.; SEVERIJNEN, MARION; BARCELOS, INGRID D.; GUO, SHI; CHRISTIANEN, PETER C. M.; ZEITLER, ULI; GOBATO, YARA GALVAO; WITHERS, FREDDIE. Electrical and optical properties of transition metal dichalcogenides on talc dielectrics. NANOSCALE, v. 13, n. 37, . (19/23488-5, 18/00823-0, 18/01808-5)
DE BRITO, CAIQUE SERATI; RABAHI, CESAR RICARDO; TEODORO, MARCIO DALDIN; FRANCO, DOUGLAS F.; NALIN, MARCELO; BARCELOS, INGRID D.; GOBATO, YARA GALVAO. Strain engineering of quantum confinement in WSe2 on nano-roughness glass substrates. Applied Physics Letters, v. 121, n. 7, p. 7-pg., . (19/23488-5, 16/16900-9, 19/14017-9, 18/19272-4, 13/07793-6)
ALGHAMDI, HAIFA; ALHASSNI, AMRA; ALHASSAN, SULTAN; ALMUNYIF, AMJAD; KLEKOVKIN, ALEXEY, V; TRUNKIN, IGOR N.; VASILIEV, ALEXANDER L.; GALETI, HELDER V. A.; GOBATO, YARA GALVAO; KAZAKOV, IGOR P.; et al. Effect of bismuth surfactant on the structural, morphological and optical properties of self-assembled InGaAs quantum dots grown by Molecular Beam Epitaxy on GaAs (001) substrates. Journal of Alloys and Compounds, v. 905, p. 14-pg., . (19/23488-5, 19/07442-5)