Strain and localization effects in InGaAs(N) quantum wells: Tuning the magnetic response

Autor(es):Mostrar menos -

Lopes-Oliveira, V. ^[1] ; Herval, L. K. S. ^[1] ; Orsi Gordo, V. ^[1] ; Cesar, D. F. ^[1] ; de Godoy, M. P. F. ^[1] ; Galvao Gobato, Y. ^[1] ; Henini, M. ^[2] ; Khatab, A. ^{[2, 3]} ; Sadeghi, M. ^[4] ; Wang, S. ^[4] ; Schmidbauer, M. ^[5]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Paulo - Brazil

^[2] Univ Nottingham, Sch Phys & Astron, Nottingham Nanotechnol & Nanosci Ctr, Nottingham NG7 2RD - England

^[3] Cairo Univ, Natl Inst Laser Enhanced Sci, Cairo - Egypt

^[4] Chalmers, Photon Lab, Dept Microtechnol & Nanosci, S-41296 Gothenburg - Sweden

^[5] Leibniz Inst Crystal Growth, D-12489 Berlin - Germany

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Journal of Applied Physics; v. 116, n. 23 DEC 21 2014.
• Citações Web of Science: 5

Resumo

We investigated effects of localization and strain on the optical and magneto-optical properties of diluted nitrogen III-V quantum wells theoretically and experimentally. High-resolution x-ray diffraction, photoluminescence (PL), and magneto-PL measurements under high magnetic fields up to 15 T were performed at low temperatures. Bir-Pikus Hamiltonian formalism was used to study the influence of strain, confinement, and localization effects. The circularly polarized magneto-PL was interpreted considering localization aspects in the valence band ground state. An anomalous behavior of the electron-hole pair magnetic shift was observed at low magnetic fields, ascribed to the increase in the exciton reduced mass due to the negative effective mass of the valence band ground state. (C) 2014 AIP Publishing LLC. (AU)

• Processo FAPESP: 13/17657-2 - Síntese e propriedades ópticas de sistemas semicondutores para aplicação em spintrônica
• Beneficiário: Marcio Peron Franco de Godoy
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• Processo FAPESP: 12/24055-6 - Propriedades óticas, elétricas e de spin de nanoestruturas e nanodispositivos semicondutores
• Beneficiário: Yara Galvão Gobato
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 11/17944-6 - Novos sistemas nano-ópticos e dispositivos nano-eletrônicos: caracterização e aplicação
• Beneficiário: Daniel Ferreira Cesar
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 12/02655-1 - Sistemas nano-ópticos e dispositivos nano-eletrônicos
• Beneficiário: Victor Lopez Richard
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular