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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Laser/Electron Irradiation on Indium Phosphide (InP) Semiconductor: Promising Pathways to In Situ Formation of Indium Nanoparticles

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Autor(es):
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Assis, Marcelo [1] ; Macedo, Nadia G. [1] ; Machado, Thales R. [1] ; Ferrer, Mateus M. [2] ; Gouveia, Amanda F. [1] ; Cordoncillo, Eloisa [3] ; Torres-Mendieta, Rafael [4] ; Beltran-Mir, Hector [3] ; Minguez-Vega, Gladys [5] ; Leite, Edson R. [1, 6] ; Sambrano, Julio R. [2] ; Andres, Juan [7] ; Longo, Elson [1]
Número total de Autores: 13
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Sao Carlos UFSCar, CDMF, POB 676, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Sao Paulo State Univ UNESP, Modeling & Mol Simulat Grp, POB 473, BR-17033360 Bauru - Brazil
[3] UJI, Dept Inorgan & Organ Chem, Castellon de La Plana 12071 - Spain
[4] Tech Univ Liberec, Inst Nanomat Adv Technol & Innovat, Studentska 1402-2, Liberec 46117 - Czech Republic
[5] UJI, GROC UJI, INIT, Castellon de La Plana 12071 - Spain
[6] Brazilian Ctr Res Energy & Mat CNPEM, Brazilian Nanotechnol Natl Lab LNNano, BR-13083100 Campinas, SP - Brazil
[7] UJI, Dept Analyt & Phys Chem, Castellon de La Plana 12071 - Spain
Número total de Afiliações: 7
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: PARTICLE & PARTICLE SYSTEMS CHARACTERIZATION; v. 35, n. 11 NOV 2018.
Citações Web of Science: 3
Resumo

In the current study, whether femtosecond laser and electron beam irradiation of indium phosphide (InP) are ``green,{''} fast, and effective methods to produce metallic In nanoparticles is probed. High-resolution transmission electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy are employed to investigate the formation and growth of In nanoparticles on InP. Density functional theory and quantum theory of atoms in molecules calculations are employed to reveal the nature of formation of In nanoparticles under electron beam irradiation. These results expand the fundamental understanding of the atomic processes underpinning the mechanism of In-P bond rupture during the transformation process induced by the electron irradiation of the InP crystal by increasing the total number of electrons in the bulk structure. (AU)

Processo FAPESP: 16/07476-9 - Nanotubos porosos de carbono e de semicondutores inorgânicos: uma abordagem computacional
Beneficiário:Julio Ricardo Sambrano
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 13/26671-9 - Estudo teórico-experimental de semicondutores multifuncionais
Beneficiário:Amanda Fernandes Gouveia
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
Beneficiário:Elson Longo da Silva
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs