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(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Investigation on the optical and electrical properties of undoped and Sb-doped SnO2 nanowires obtained by the VLS method

Texto completo
Autor(es):
Costa, I. M. [1, 2] ; Cunha, T. R. [1] ; Cichetto Jr, L. ; Zaghete, M. A. [2] ; Chiquito, A. J. [3]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
[2] Univ Estadual Paulista UNESP, Inst Quim, LIEC, BR-14800060 Araraquara, SP - Brazil
[3] Cichetto Jr, Jr., L., Univ Fed Sao Carlos, Dept Fis, BR-13565905 Sao Carlos, SP - Brazil
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES; v. 134, OCT 2021.
Citações Web of Science: 0
Resumo

In this work, we report the effects of Sb doping on the optical and electrical properties of the SnO2 nanowires obtained by the vapor-liquid-solid (VLS) method. The absorption edges were found to be 3.30 eV and 3.66 eV for undoped SnO2 and Sb-doped SnO2 (ATO) nanowires, respectively. The energy shift was related to the BursteinMoss effect taking place in the doped nanowires. We studied the ATO optical bandgap (Delta E = 0.36 eV) shift as a function of carrier concentration. The incorporation of Sb caused the resistivity to decrease three orders of magnitude for single-nanowire ATO devices. In addition, it was found that undoped SnO2 nanowires exhibit semiconductor characteristics while a metal-insulator transition (MIT), around 170 K, was observed in the ATO nanowires. (AU)

Processo FAPESP: 19/12383-8 - Estudo de propriedades estruturais e vibracionais de materiais vítreos e vitrocerâmicos via espalhamento Raman em função da temperatura e de altas pressões hidrostáticas.
Beneficiário:Thiago Rodrigues da Cunha
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 17/23663-6 - Irradiação por laser de femtossegundos em filmes finos de LaNiO3 depositados por PLD para estudo das propriedades estruturais e físicas para aplicação em memorias ferroelétricas
Beneficiário:Leonélio Cichetto Junior
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Pós-Doutorado
Processo FAPESP: 13/07296-2 - CDMF - Centro de Desenvolvimento de Materiais Funcionais
Beneficiário:Elson Longo da Silva
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Centros de Pesquisa, Inovação e Difusão - CEPIDs
Processo FAPESP: 14/01371-5 - Obtenção de memórias com LaNiO3 e LaNiO3/BaTiO3 utilizando PLD
Beneficiário:Leonélio Cichetto Junior
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado