| Texto completo | |
| Autor(es): |
Barbosa, Martin S.
[1, 2, 3]
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da Silva, Ranilson A.
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Santato, Clara
[3]
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Orlandi, Marcelo O.
[2]
Número total de Autores: 4
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| Afiliação do(s) autor(es): | [1] Univ Fed Goias, Inst Quim, Av Esperanca, S-N Chacaras Recreio Samambaia, BR-74690900 Goiania, Go - Brazil
[2] Sao Paulo State Univ, Dept Fis Engn & Matemat, Rua Prof Degni 55, BR-14800060 Araraquara, SP - Brazil
[3] Polytech Montreal, Dept Genie Phys, CP 6079, Montreal, PQ H3C 3A7 - Canada
Número total de Afiliações: 3
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A; v. 40, n. 1 JAN 2022. |
| Citações Web of Science: | 0 |
| Resumo | |
Molecular hydrogen (H-2) shows promise as a future renewable energy carrier. However, due to safety concerns, its reliable detection in different atmospheres is an important issue. Here, we propose a hydrogen sensor based on ion-gated transistors exploiting the interface between tungsten oxide and ionic liquids. Two different approaches to gas sensors (metal oxide gas sensor and ionic liquid-based electrochemical sensor) are integrated in a single device. We demonstrate that ionic liquid gating enhances the effect of H-2 on the tungsten oxide transistor channel. The transistor current response permits the detection of H-2 in an O-2-free environment with the device operating in room temperature. After H-2 sensing, the initial properties of the tungsten oxide channel can be recovered by exposure to O-2. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 14/27079-9 - Transistores de contato por eletrólito baseado em filmes finos de WO3: influência da morfologia e estrutura dos filmes na performance dos dispositivos |
| Beneficiário: | Martin Schwellberger Barbosa |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 15/50526-4 - Electrolyte gating of metal oxide films:towards low power and printable electronics |
| Beneficiário: | Marcelo Ornaghi Orlandi |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Processo FAPESP: | 16/09033-7 - Transistores de contato de eletrólito baseado em filmes de WO3 |
| Beneficiário: | Martin Schwellberger Barbosa |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado |