Busca avançada
Ano de início
Entree
(Referência obtida automaticamente do Web of Science, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

Detection of H-2 facilitated by ionic liquid gating of tungsten oxide films

Texto completo
Autor(es):
Barbosa, Martin S. [1, 2, 3] ; da Silva, Ranilson A. [2] ; Santato, Clara [3] ; Orlandi, Marcelo O. [2]
Número total de Autores: 4
Afiliação do(s) autor(es):
[1] Univ Fed Goias, Inst Quim, Av Esperanca, S-N Chacaras Recreio Samambaia, BR-74690900 Goiania, Go - Brazil
[2] Sao Paulo State Univ, Dept Fis Engn & Matemat, Rua Prof Degni 55, BR-14800060 Araraquara, SP - Brazil
[3] Polytech Montreal, Dept Genie Phys, CP 6079, Montreal, PQ H3C 3A7 - Canada
Número total de Afiliações: 3
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A; v. 40, n. 1 JAN 2022.
Citações Web of Science: 0
Resumo

Molecular hydrogen (H-2) shows promise as a future renewable energy carrier. However, due to safety concerns, its reliable detection in different atmospheres is an important issue. Here, we propose a hydrogen sensor based on ion-gated transistors exploiting the interface between tungsten oxide and ionic liquids. Two different approaches to gas sensors (metal oxide gas sensor and ionic liquid-based electrochemical sensor) are integrated in a single device. We demonstrate that ionic liquid gating enhances the effect of H-2 on the tungsten oxide transistor channel. The transistor current response permits the detection of H-2 in an O-2-free environment with the device operating in room temperature. After H-2 sensing, the initial properties of the tungsten oxide channel can be recovered by exposure to O-2. (AU)

Processo FAPESP: 14/27079-9 - Transistores de contato por eletrólito baseado em filmes finos de WO3: influência da morfologia e estrutura dos filmes na performance dos dispositivos
Beneficiário:Martin Schwellberger Barbosa
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 15/50526-4 - Electrolyte gating of metal oxide films:towards low power and printable electronics
Beneficiário:Marcelo Ornaghi Orlandi
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 16/09033-7 - Transistores de contato de eletrólito baseado em filmes de WO3
Beneficiário:Martin Schwellberger Barbosa
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado