Chemisorption Competition between H2O and H-2 for Sites on the Si Surface under Xe+ Ion Bombardment: An XPS Study

Autor(es)

Antunes, Vinicius G. ; Figueroa, Carlos A. ; Alvarez, Fernando

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Langmuir; v. 38, n. 6, p. 8-pg., 2022-02-15.

Resumo

This paper reports the competition of H2O (residual) and H-2 by site (defects) on the Si surface, created by Xe+ ion bombardment. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) in an ultrahigh vacuum system attached to the sample preparation chamber provided the data for the analyses. As hydrogen cannot be detected by XPS, an indirect method to evaluate the O and H cover ratio was developed. The hydrogen passivation effect obtained by the formation of the Si-H bond due to H-2 chemisorption limits Si-OH and Si-O-Si bonds, which are products of H2O dissociation. In addition, the results have shown that Xe+ ion bombardment diminished the H-2 chemisorption energy barrier onto Si. (AU)

• Processo FAPESP: 12/10127-5 - Pesquisa e desenvolvimento de materiais nanoestruturados para aplicações eletrônicas e de física de superfícies
• Beneficiário: Fernando Alvarez
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 19/00757-0 - Estudo e controle das orientações cristalinas em heterojunções MoS2/TiO2 e MoS2/TiO2:H e seus efeitos sobre suas propriedades físico-químicas
• Beneficiário: Fernando Graniero Echeverrigaray
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 19/18460-4 - Desenvolvimento e propriedades termomecânicas e tribológicas de materiais multicomponentes avançados de alta entropia
• Beneficiário: Fernando Alvarez
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Processo FAPESP: 18/24461-0 - Estudo e desenvolvimento de filmes finos de ligas de alta entropia (LAE-F)
• Beneficiário: Felipe Cemin
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado