| Texto completo | |
| Autor(es): |
R.F. Oliveira
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A.B. Henriques
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T.E. Lamas
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A.A. Quivy
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M.P. Pires
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P.L. Souza
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B. Yavich
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E. Abramof
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Número total de Autores: 8
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | Brazilian Journal of Physics; v. 34, p. 650-652, 2004-06-00. |
| Resumo | |
We have studied doped superlattices of GaAs/AlGaAs composition. When the doping atoms are introduced into the barriers surrounding the superlattice, as well as to the inner ones, but with half of the concentration, the photoluminescence due to interband transitions from extended superlattice states is detected. This is demonstrated by a study of the sample´s photoluminescence in a magnetic field, whose intensity oscillates in concomitance with the SdH spectrum of electrons confined in the miniband. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 01/00150-5 - Sintonia das propriedades opticas e eletricas de super-redes semicondutoras com dopagem modulada. |
| Beneficiário: | Ricardo Faveron de Oliveira |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Processo FAPESP: | 99/10359-7 - Pesquisas em semicondutores em baixas temperaturas e campos magnéticos intensos |
| Beneficiário: | Nei Fernandes de Oliveira Junior |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Temático |