| Autor(es): |
Trevisoli, Renan
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Doria, Rodrigo T.
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de Souza, Michelly
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Pavanello, Marcelo A.
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Barraud, Sylvain
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Vinet, Maud
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IEEE
Número total de Autores: 7
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| Tipo de documento: | Artigo Científico |
| Fonte: | 2016 IEEE SOI-3D-SUBTHRESHOLD MICROELECTRONICS TECHNOLOGY UNIFIED CONFERENCE (S3S); v. N/A, p. 3-pg., 2016-01-01. |
| Resumo | |
This work presents, for the first time, an analysis of the influence of the crystal orientation on the electrical performance of Junctionless Nanowire Transistors. Experimental results demonstrate that the device rotation from the standard <110> to the <100> direction over a (100) SOI wafer can significantly degrade the performance of the transistors. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 14/18041-8 - Caracterização elétrica e modelagem de dispositivos eletrônicos avançados |
| Beneficiário: | Renan Trevisoli Doria |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado |