Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface

Autor(es)

Martini, S. ; Quivy, A. A. ; Lamas, T. E. ; Silva, M. J. da ; Silva, E. C. F. da ; Leite, J. R.

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Journal of Crystal Growth; v. 251, n. 1/4, p. 101-105, Apr. 2003.
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
• Assunto(s): Semicondutores Difração da luz

Resumo

The surface segregation of indium (In) atoms was investigated during the growth of InGaAs layers by reflection high-energy electron diffraction (RHEED). We showed that the strong damping of the RHEED oscillations usually observed during the deposition of InGaAs on GaAs was directly related to the presence of a population of In atoms at the surface of the sample originating from the segregation phenomenon in the InGaAs layers. We proposed a simple model to estimate the segregation coefficient R in situ and in real time from the RHEED oscillations. Our results were quantitatively confirmed by several RHEED measurements carried out under very different growth conditions and were in excellent agreement with data from the literature. (AU)

• Processo FAPESP: 99/08979-7 - Crescimento e caracterização de pontos quânticos de InGaAs verticalmente alinhados para aplicação como meio ativo em estruturas do tipo laser
• Beneficiário: Marcelo Jacob da Silva
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 99/10510-7 - Crescimento por mbe, caracterizacao e otimizacao de camadas dopadas do tipo "p" para a fabricacao de dispositivos optoeletronicos.
• Beneficiário: Tomás Erikson Lamas
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Processo FAPESP: 01/14106-8 - Crescimento, caraterizacao e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados.
• Beneficiário: Sandro Martini
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado