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Effects of short-and long-range disorder in the photoluminescence of GaAs1-xSbx/GaAs quantum wells

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Autor(es):
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Jacobsen, G. M. ; Liang, B. ; Kryvyi, S. ; V. Stanchu, H. ; Benamara, M. ; Oliveira, V. A. ; Ware, M. E. ; Salamo, G. J. ; Mazur, Yu. I. ; Marques, G. E. ; Teodoro, M. D.
Número total de Autores: 11
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: PHYSICAL REVIEW B; v. 112, n. 19, p. 10-pg., 2025-11-20.
Resumo

III-Sb semiconductor nanostructures provide sophisticated materials for developing optoelectronic applications in the near-and midinfrared wavelengths, for which the capability of engineering band alignments and wave functions is highly desirable. Segregation and diffusion at the interfaces, however, are features commonly found in Sb-based structures, impacting device performance and optical properties. By using type-II GaAs1-xSbx/GaAs quantum wells as a platform, we demonstrate the effects of short-and long-range disorders in their optical emission, resulting in localization effects, broadening, and the emergence of a lower-energy band. The luminescence is characterized by varying excitation power, temperature, and magnetic field. Our findings demonstrate the presence of local potential minima of similar to 10 meV arising from the short-range contribution, the transition from correlated to uncorrelated electron-hole pair recombination, and the complex carrier dynamics in these systems. (AU)

Processo FAPESP: 21/10254-6 - Abordagem por strain e dinâmica de spin em nanoestruturas híbridas de Ga(As)Sb ponto/poço quântico
Beneficiário:Gabriel Marques Jacobsen
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Iniciação Científica
Processo FAPESP: 18/01914-0 - Funcionalizando a emissão óptica em estruturas de tunelamento quântico em diferentes intervalos espectrais
Beneficiário:Marcio Daldin Teodoro
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
Processo FAPESP: 14/19142-2 - Caracterização e processamento de nanoestruturas semicondutoras e aplicações como dispositivos
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
Processo FAPESP: 13/18719-1 - Dinâmica de portadores eletrônicos em nanoestruturas semicondutoras
Beneficiário:Marcio Daldin Teodoro
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores
Processo FAPESP: 18/06328-1 - Instrumentação magneto-Raman com uso de um microscópio confocal em ambientes criogênicos
Beneficiário:Gabriel Marques Jacobsen
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Iniciação Científica
Processo FAPESP: 24/13583-9 - Controle do tunelamento de portadores de carga únicos em nanoestruturas híbridas baseadas em antimonetos
Beneficiário:Gabriel Marques Jacobsen
Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Estágio de Pesquisa - Doutorado Direto
Processo FAPESP: 22/10340-2 - EMU científico: aquisição de um sistema de fluorescência de alta resolução temporal, espacial, espectral e operando em amplo intervalo de temperatura
Beneficiário:Gilmar Eugenio Marques
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura - Científico
Processo FAPESP: 22/08731-3 - Dinâmica de portadores de carga e spin em nanoestruturas de antimonetos tipo-II
Beneficiário:Gabriel Marques Jacobsen
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado Direto