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(Referência obtida automaticamente do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores.)

SnO2 extended gate field-effect transistor as pH sensor

Texto completo
Autor(es):
P. D. Batista [1] ; M. Mulato [2] ; C. F. de O. Graeff [3] ; F. J. R. Fernandez [4] ; F. das C. Marques [5]
Número total de Autores: 5
Afiliação do(s) autor(es):
[1] USP. FFCLRP. Departamento de Física e Matemática - Brasil
[2] USP. FFCLRP. Departamento de Física e Matemática - Brasil
[3] USP. FFCLRP. Departamento de Física e Matemática - Brasil
[4] USP. Escola Politécnica
[5] Unicamp. IFGW. DFA
Número total de Afiliações: 5
Tipo de documento: Artigo Científico
Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 36, p. 478-481, 2006-06-00.
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Assunto(s):Transistores   Sensores eletromecânicos
Resumo

Extended gate field-effect transistor (EGFET) is a device composed of a conventional ion-sensitive electrode and a MOSFET device, which can be applied to the measurement of ion content in a solution. This structure has a lot of advantages as compared to the Ion- Sensitive Field Effect Transistor (ISFET). In this work, we constructed an EGFET by connecting the sensing structure fabricated with SnO2 to a commercial MOSFET (CD4007UB). From the numerical simulation of site binding model it is possible to determine some of the desirable characteristics of the films. We investigate and compare SnO2 films prepared using both the Sol-gel and the Pechini methods. The aim is an amorphous material for the EGFET. The SnO2 powder was obtained at different calcinating temperatures (200 - 500ºC) and they were investigated by X-ray diffraction (XRD), infrared spectroscopy (IR), thermogravimetric analysis (TGA) and differential thermal analysis (DTA). The films were investigated as pH sensors (range 2-11). (AU)

Processo FAPESP: 03/08471-0 - Bio-sensores de ph, ureia e glicose a partir de dispositivos capacitivos e de efeito de campo.
Beneficiário:Pablo Diniz Batista
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
Processo FAPESP: 01/08221-9 - Biossensores e/ou sensores aplicados à medicina e biologia
Beneficiário:Marcelo Mulato
Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Jovens Pesquisadores