InGaAs embedding of large InAs quantum dots obtained by pulsed in deposition for long-wavelength applications

Autor(es)

T. E. Lamas ^[1] ; A. A. Quivy ^[2]

Afiliação do(s) autor(es)

^[1] Universidade de São Paulo. Instituto de Física. Laboratório de Novos Materiais Semicondutores - Brasil

^[2] Universidade de São Paulo. Instituto de Física. Laboratório de Novos Materiais Semicondutores - Brasil

• Tipo de documento: Artigo Científico
• Fonte: Brazilian Journal of Physics; v. 36, p. 405-407, 2006-06-00.

Resumo

In this work we studied the molecular-beam epitaxy of large InAs quantum dots embedded in an InGaAs quantum well. The formation of the quantum dots was performed by pulsed deposition of InAs material, simulating therefore a low deposition rate. Room-temperature photoluminescence experiments carried out on these samples showed intense emissions with a wavelength exceeding 1.35µm. Our preliminary data indicate that even better results can be achieved by further manipulation of the growth conditions. (AU)

• Processo FAPESP: 98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V
• Beneficiário: Gennady Gusev
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Temático
• Processo FAPESP: 03/09398-5 - Crescimento e aplicacao de pontos quanticos de inas auto-organizados emitindo em 1.3 e 1.55 micrometros.
• Beneficiário: Tomás Erikson Lamas
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
• Processo FAPESP: 02/10185-3 - Crescimento epitaxial por feixe molecular de heteroestruturas semicondutoras obtidas por tecnicas especiais.
• Beneficiário: Alain André Quivy
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular