Caracterização elétrica de transistores MOSFET implementados em lâminas de silício sobre isolante - SOI

• Processo: 95/01776-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de julho de 1995
• Data de Término da vigência: 30 de junho de 1996
• Área do conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: João Antonio Martino
• Beneficiário: João Antonio Martino
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Simulação Técnicas de caracterização elétrica Transistores MOSFET
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao Eletrica | Mosfet | Simulacao | Soi | Transistor

Resumo

Este projeto tem como finalidade dar suporte a 4 dissertações de mestrado que necessitam de alguns equipamentos especiais e de módulos avançados de programa de Simulação Bidimensional para concluírem seus trabalhos de caracterização elétrica e simulação de transistores de efeito de campo tipo metal-óxido-semicondutor implementado em lâminas de silício sobre isolante (SOI-MOSFET). Objetiva-se neste projeto caracterizar eletricamente transistores SOI-MOSFET em temperatura ambiente, baixa temperatura (77K) e altas temperaturas com relação aos parâmetros elétricos principais. Simulações Bidimensionais de Processos (TSUPREM 4) e de dispositivos (MEDICI) serão realizadas para se confrontar com os resultados experimentais obtidos na caracterização elétrica. (AU)