Propriedades eletro-opticas e de dopagem em filmes de carbeto de silicio de alto gap.

• Processo: 96/08344-3
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1997
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marcelo Nelson Páez Carreño
• Beneficiário: Marcelo Nelson Páez Carreño
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Propriedades elétricas Semicondutores amorfos Carbeto de silício Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Carbeto De Silicio | Pecvd | Propriedades Eletricas | Semicondutores Amorfos

Resumo

Neste projeto de pesquisa damos continuidade aos nossos estudos com ligas de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-SiC:H) de alto gap obtido por PECVD, abordando aspectos que até agora não foram estudados, a saber, a questão da dopagem do a-SiC:H e o estudo das propriedades opto-eletrônicas deste material. A motivação central é que, identificada a condição de "starving plasma" como responsável pela obtenção de a-SiC:H de alto gap, com alto conteúdo de carbono e com uma ordem química e estrutural semelhante à sic cristalino, é de grande interesse estabelecer o efeito desta condição nas propriedades eletro-ópticas do material, fundamentais para real aplicação deste promissor material em tecnologia de dispositivos semicondutores. (AU)