Responsividade e ruído de fotodetectores infravermelhos baseados em poços e pontos quânticos crescidos por epitaxia de feixe molecular

• Processo: 08/00841-7
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2009
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2012
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Alain André Quivy
• Beneficiário: Alain André Quivy
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Pontos quânticos Poços quânticos Epitaxia por feixe molecular
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: epitaxia | fotodetectores | Poços Quânticos | pontos quânticos | responsividade | Ruído | Semicondutores

Resumo

Neste projeto, pretendemos instalar em nosso laboratório os experimentos de responsividade e de ruído para QWIPs (quantum-well infrared photodetector) e QDIPs (quantum-dot infrared photodetectors) de maneira a podermos caracterizar completamente estes dispositivos do ponto de vista elétrico e óptico. Juntando estes dados experimentais com a simulação computacional das propriedades dos QWIPs e QDIPs que já está sendo realizada no ITA em colaboração com o Coronel Durante, com os resultados espectrais que poderão ser obtidos a partir de outubro de 2008 (também no ITA) pela técnica de espectroscopia por transformada de Fourier no infravermelho (FTIR, Fourier transform infrared spectroscopy) e com as medidas de corrente-voltagem (I-V) que foram recentemente implementadas em nosso laboratório, poderemos obter num mínimo de tempo todas as informações necessárias para montar as figuras de mérito destes dispositivos e otimizar o desempenho deles. (AU)

Publicações científicas

(4)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

FERNANDES, F. M.; CLARO, M. S.; DA SILVA, E. C. F.; QUIVY, A. A.. Modeling noise in superlattice quantum-well infrared photodetectorsL. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 47, n. 38, SEP 24 2014. (08/00841-7)

MAIA, A. D. B.; DA SILVA, E. C. F.; QUIVY, A. A.; BINDILATTI, V.; DE AQUINO, V. M.; DIAS, I. F. L.. Simulation of the electronic properties of InxGa1-xAs quantum dots and their wetting layer under the influence of indium segregation. Journal of Applied Physics, v. 114, n. 8, AUG 28 2013. (08/00841-7)

MAIA, A. D. B.; DA SILVA, E. C. F.; QUIVY, A. A.; BINDILATTI, V.; DE AQUINO, V. M.; DIAS, I. F. L.. The influence of different indium-composition profiles on the electronic structure of lens-shaped InxGa1-xAs quantum dots. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, v. 45, n. 22, JUN 6 2012. (08/00841-7)

FERNANDES, F. M.; DA SILVA, E. C. F.; QUIVY, A. A.. Mid-infrared photodetection in an AlGaAs/GaAs quantum-well infrared photodetector using photoinduced noise. Journal of Applied Physics, v. 118, n. 20, NOV 28 2015. (08/00841-7)