| Processo: | 96/05240-2 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Programa Cooperação CNPq-FAPESP |
| Data de Início da vigência: | 01 de fevereiro de 1997 |
| Data de Término da vigência: | 31 de janeiro de 1999 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Acordo de Cooperação: | CNPq - Programa Cooperação CNPq-FAPESP |
| Pesquisador responsável: | Ivan Emilio Chambouleyron |
| Beneficiário: | Ivan Emilio Chambouleyron |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Semicondutores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Amorfo | Estrutura | Ligas | Propriedades | Semicondutores |
Resumo
Concluir os estudos de dopagem tipo-p nos filmes de a-Ge:H - Continuar estudos de dopagem tipo-n no a-Ge:H, usando fósforo, arsênio e antimônio. - Iniciar estudos sobre a deposição de filmes com a técnica de ion assisted beam sendo atualmente implantada no laboratório (Projeto temático FAPESP) - Continuar com estudos para otimização de ligas semicondutoras amorfas e de fotoemissão. - Recomeçar estudos de dispositivos de barreira superficial. (AU)
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