Propriedades estruturais, eletrônicas e óticas de ligas semicondutoras amorfas

• Processo: 96/05240-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Cooperação CNPq-FAPESP
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 1997
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 1999
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Acordo de Cooperação: CNPq - Programa Cooperação CNPq-FAPESP
• Pesquisador responsável: IVAN EMILIO CHAMBOULEYRON
• Beneficiário: IVAN EMILIO CHAMBOULEYRON
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Amorfo | Estrutura | Ligas | Propriedades | Semicondutores

Resumo

Concluir os estudos de dopagem tipo-p nos filmes de a-Ge:H - Continuar estudos de dopagem tipo-n no a-Ge:H, usando fósforo, arsênio e antimônio. - Iniciar estudos sobre a deposição de filmes com a técnica de ion assisted beam sendo atualmente implantada no laboratório (Projeto temático FAPESP) - Continuar com estudos para otimização de ligas semicondutoras amorfas e de fotoemissão. - Recomeçar estudos de dispositivos de barreira superficial. (AU)