Scanning probe microscope para multi-usuários

• Processo: 95/05651-0
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Programa Infraestrutura - Equipamentos
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 1996
• Data de Término da vigência: 31 de março de 1997
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Geral
• Pesquisador responsável: Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori
• Beneficiário: Maria Cecília Barbosa da Silveira Salvadori
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Microscópio eletrônico Recursos para a pesquisa Aquisição de equipamentos Equipamentos e provisões Projetos de infraestrutura Infraestrutura

Resumo

Os projetos de pesquisa apresentados estão todos ligados à necessidade de um uso de um “Scanning probe microscope”. Ao todo são nove projetos na área de materiais, a saber: (I) membranas permeáveis de diamante; (II) Implante de íons em sólidos; (III) Óptica e cristais líquidos; (IV) STM de filmes finos de carbeto de silício e calcogenetos de arsênio e antimônio; (V) materiais depositados por “Plasma enhanced chemical vapor deposition”; (VI) caracterização de eletrodos modificados e depósitos metálicos por STM e AFM; (VII) desenvolvimento e aplicações de supermoléculas polimetaladas em dispositivos moleculares; (VIII) processamento e caracterizações magnética e microestrutural de filmes finos de Co1-x Crx; (IX) desenvolvimento de metodologia para aplicações de STM e AFM em metrologia e ensaios. O microscópio aqui solicitado deverá complementar os recursos já existentes no Instituto de Física da USP em temos de microscopia. É importante ressaltar que não existe um equipamento comercial análogo, ao aqui solicitado na cidade de São Paulo o que torna crítica a obtenção deste. (AU)

Publicações científicas

(5)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; GONZALEZ-BORRERO‚ PP; MAREGA‚ E.. Study of the spontaneous alignment of InAs quantum dots along the surface steps as a function of the InAs coverage. Thin Solid Films, v. 410, n. 1, p. 188-193, 2002. (95/05651-0, 99/01225-7, 99/08979-7)

LAMAS‚ T. E.; QUIVY‚ A. A.; MARTINI‚ S.; SILVA‚ M. J.; LEITE‚ J. R.. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1/2, p. 25-30, Mar. 2005. (99/08979-7, 98/12779-0, 02/10185-3, 95/05651-0, 99/10510-7, 01/14106-8)

LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003. (98/12779-0, 01/14106-8, 99/10510-7, 99/08979-7, 95/05651-0)

LIANA KEY OKADA NAKAMURA; JORGE MOREIRA VAZ. Influência do tipo de ácido e tempo de envelhecimento na atividade fotocatalítica de filmes finos de TiO2. Química Nova, v. 34, n. 7, p. 1173-1176, 2011-00-00. (02/01131-7, 05/00178-8, 95/05651-0)

DUARTE, C. A.; SILVA, E. C. F. DA; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; MARTINI, S.; LEITE, J. R.; MENESES, E. A.; LAURETO, E.. Influence of the temperature on the carrier capture into self-assembled InAs/GaAs quantum dots. Journal of Applied Physics, v. 93, n. 10, p. 6279-6283, May 2003. (99/08979-7, 95/05651-0, 98/12779-0, 00/08794-6)