Propriedades opticas de nanoestruturas semicondutoras

• Processo: 11/50975-2
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de fevereiro de 2012
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2014
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Fernando Iikawa
• Beneficiário: Fernando Iikawa
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Materiais nanoestruturados Pontos quânticos Nanofios Propriedades ópticas Semicondutores Spin
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Nanoestruturas | Nanofios | Pontos Quanticos | Propriedades Opticas | Semicondutores | Spin

Resumo

Neste projeto serão investigadas as propriedades ópticas de semicondutores nanoestruturados baseados em pontos quânticos auto-organizados e nanofios. As estruturas contendo pontos quânticos são preparadas de tal forma que os elétrons e buracos ficam espacialmente separados na estrutura, com isso, pretendemos manipular a distribuição espacial da função de onda e o tempo de vida dos portadores. Devido à forte localização espacial dos portadores em sistemas como pontos quânticos favorece a supressão dos mecanismos eficientes de relaxação de spin relacionados com o movimento, aumentando o seu tempo de vida de spin, assim outros mecanismos menos eficientes, tais como interação portador-núcleo, tomam-se importantes. Nesse caso, é essencial que a escala de tempo de vida dos portadores seja da ordem de grandeza ou mais longo para investigar a dinâmica de spin por técnicas ópticas. Outra nanoestrutura do nosso interesse é o nanotio de compostos III-V. Esses nanofios apresentam fases cristalinas que não tem sido observada na forma "bulk" que, no geral, estão na fase cúbica. Os nanofios crescidos por método VLS (vapor-líquid-solid) de compostos III-V têm sido observados na fase wrutzita e suas propriedades ópticas são pouco conhecidas. Além disso, a coexistência das duas fases, cúbicas e hexagonais, forma poços quânticos devido à diferença da energia do gap entre as duas fases, confinando assim portadores ao longo do nanofio. Esse efeito altera as propriedades ópticas e de spin em nanofios e serão os assuntos tratados neste projeto. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

BALANTA, M. A. G.; BRASIL, M. J. S. P.; IIKAWA, F.; BRUM, J. A.; MENDES, UDSON C.; DANILOV, YU. A.; DOROKHIN, M. V.; VIKHROVA, OLGA V.; ZVONKOV, BORIS N.. Effects of a nearby Mn delta layer on the optical properties of an InGaAs/GaAs quantum well. Journal of Applied Physics, v. 116, n. 20, NOV 28 2014. (11/20985-6, 10/11393-5, 11/50975-2)

BALANTA, M. A. G.; BRASIL, M. J. S. P.; IIKAWA, F.; MENDES, UDSON C.; BRUM, J. A.; DANILOV, YU. A.; DOROKHIN, M. V.; VIKHROVA, O. V.; ZVONKOV, B. N.. Optically controlled spin-polarization memory effect on Mn delta-doped heterostructures. SCIENTIFIC REPORTS, v. 6, APR 15 2016. (11/20985-6, 10/11393-5, 11/50975-2)

MOLLER, M.; OLIVEIRA, D. S.; SAHOO, P. K.; COTTA, M. A.; IIKAWA, F.; MOTISUKE, P.; MOLINA-SANCHEZ, A.; DE LIMA, JR., M. M.; GARCIA-CRISTOBAL, A.; CANTARERO, A.. Fermi energy dependence of the optical emission in core/shell InAs nanowire homostructures. Nanotechnology, v. 28, n. 29, JUL 21 2017. (15/16611-4, 12/22617-7, 16/16365-6, 13/02300-1, 11/50975-2)