Defeitos e suas funcionalidades em filmes óxidos semicondutores obtidos por spray-pirólise

• Processo: 16/10973-4
• Modalidade de apoio: Auxílio à Pesquisa - Regular
• Data de Início da vigência: 01 de outubro de 2016
• Data de Término da vigência: 30 de setembro de 2018
• Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Marcio Peron Franco de Godoy
• Beneficiário: Marcio Peron Franco de Godoy
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Pesquisadores associados: Ariano De Giovanni Rodrigues
• Assunto(s): Óxidos semicondutores Filmes finos Fotoluminescência
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: defeitos | Filmes finos | fotoluminescencia | óxidos semicondutores | spray-pirólise | Semicondutores

Resumo

Nossa proposta é a investigação de sistemas baseados em semicondutores com gap largo produzidos pela técnica de spray-pirólise. Focaremos este projeto nos materiais ZnO, CdO e CuO assim como suas ligas. O gap largo permite que estes materiais possam ser usados como fontes de luz no espectro visível e dispositivos opto-eletrônicos. Em particular, temos interesse em estudar as condições nas quais estes sistemas exibam propriedades mediadas por defeitos tais como transparência óptica, condutividade elétrica e fotocondutividade, assim como desenvolver funcionalidades para aplicações em dispositivos. Adicionalmente, a dopagem com metais de transição, como Co e Mn, é interessante para investigações relacionadas à spintrônica. Ambos interesses são fortemente associados a defeitos estruturais, intencionais ou não, que podem ser manejados durante o crescimento dos filmes ou em tratamentos térmicos posteriores. A engenharia destes defeitos será utilizada como ferramenta para o desenvolvimento de funcionalidades como casamento óptico, resposta fotovoltaica e fotocondutividade. (AU)

Publicações científicas

(13)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

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