Estudo e fabricacao de transistores de filme fino (tft's) com materiais depositados por pecvd visando aplicacoes em optoeletronica integrada.

• Processo: 03/02837-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2003
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2007
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Ines Pereyra
• Beneficiário: Katia Franklin Albertin Torres
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 00/10027-3 - Produção, caracterização e aplicações de ligas semicondutoras e isolantes, AP.TEM
• Assunto(s): Dielétricos Semicondutores Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD)
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dieletricos | Mobilidade De Canal | Pecvd | Semicondutores | Transistores De Filme Fino

Resumo

O objetivo deste trabalho é estudar, fabricar e caracterizar transistores de filme fino com diferentes camadas dielétricas e semicondutoras obtidos por PECVD, a baixas temperaturas, visando aplicá-los em um dispositivo óptico integrado. A proposta é dar continuidade ao trabalho de mestrado, onde foi estudada as propriedades dielétricas e de interface de filmes de oxinitreto de silício com diferentes composições, visando sua aplicação em dispositivos MOS e de filme fino. Nossos resultados foram bastante interessantes para um filme obtido por PECVD e comparáveis com literatura. Com isso, pretendemos utilizar estes filmes em TFT's como dielétricos de porta, otimizando algumas propriedades do filme. Também será utilizado o carbeto de silício amorfo, material que já vem sendo estudado em trabalhos desenvolvidos no grupo, mas aqui estudaremos este filme em termos de propriedades dielétricas e de interface (isolante/semicondutor). Como camada ativa semicondutora será utilizada além do a-Si:H, o silício microcristalino e policristalino. O objetivo é aumentar a mobilidade de canal dos dispositivos, pois assim, há um aumento da aplicabilidade deste dispositivo, bastante utilizado em um variedade de sensores e em telas de cristal líquido. Assim, melhorando as propriedades de interface e utilizando os semicondutores citados, realizando uma combinação destes materiais, esperamos obter uma alta mobilidade de canal, além de obter bons parâmetros elétricos de forma aplicá-lo em um dispositivo integrado. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

K.F ALBERTIN; I PEREYRA. One step a-Si: H TFT'S with PECVD SiOxNy gate insulator. REVISTA MEXICANA DE FISICA, v. 52, p. 83-85, 2006-02-00. (00/10027-3, 03/02837-3)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

TORRES, Katia Franklin Albertin. Estudo de camadas dielétricas para aplicação em capacitores MOS.. 2007. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC) São Paulo.